内置 N 沟道增强型双 MOS 管

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内置 N 沟道增强型双 MOS 管

内置 N 沟道增强型双 MOS 管//内置 N 沟道增强型双 MOS 管

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公　司：深圳市龙腾达微电子科技有限公司

发布时间：2024年10月21日

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详细说明

内置 N 沟道增强型双 MOS 管
概述
MOS管包括两个独立的、N沟道金属氧化物场效应管。它有高密度超低的导通电阻，适合用大功率、大电流的理想锂电池应用，也可用来做小电流负载开关或者PWM开关。
特点
专业的应用设计,针对锂电池的应用，RDS(ON)极小; 耐用性和可靠性极强，适应锂电池保护/充电管理;封装形式: SOT23-6
应用领域
锂电池保护/充电电路;
负载开关或者PWM开关

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